Uma banca de QUALIFICAÇÃO de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa. DISCENTE: MAURO BOGEA PEREIRA DATA: 30/04/2014 HORA: 09:00 LOCAL: Auditório II - CCET TÍTULO: Interfaces Presentes no Crescimento do GaN: um estudo de primeiros princípios PALAVRAS-CHAVES: GaN, safira, DFT, interfaces PÁGINAS: 45 GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra ÁREA: Física SUBÁREA: Física da Matéria Condensada ESPECIALIDADE: Superfícies e Interfaces; Películas e Filamentos RESUMO: Neste trabalho apresentamos o estudo das propriedades estruturais e eletrônicas de interfaces presentes no crescimento do nitreto de gálio (GaN), com o intuito de melhor compreender os processos de crescimento do GaN. Os resultados foram realizados através de cálculos de primeiros príncípios, usando a teoria do funcionalo da densidade com a aproximação do gradiente generalizado para o funcional de troca e correlação. Os cálculos foram realizados através do programa computacional VASP que emprega uma base de ondas planas. Na caracterização da interface que utiliza a safira (Al2O3) como substrato para crescer o GaN, verificamos que as propriedades eletrônicas e estruturais são fortemente dependente do strain a qual o GaN é submetido. MEMBROS DA BANCA: Interno - 1360764 - CARLOS WILLIAM DE ARAUJO PASCHOAL Interno - 1518604 - EDER NASCIMENTO SILVA Externo à Instituição - PEDRO PAULO DE MELLO VENEZUELA - UFF