PPGF/CCET

Uma banca de QUALIFICAÇÃO de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: MAURO BOGEA PEREIRA
DATA: 30/04/2014
HORA: 09:00
LOCAL: Auditório II - CCET
TÍTULO: Interfaces Presentes no Crescimento do GaN: um estudo de primeiros princípios
PALAVRAS-CHAVES: GaN, safira, DFT, interfaces
PÁGINAS: 45
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
SUBÁREA: Física da Matéria Condensada
ESPECIALIDADE: Superfícies e Interfaces; Películas e Filamentos
RESUMO: Neste trabalho apresentamos o estudo das propriedades estruturais e eletrônicas de interfaces presentes no crescimento do nitreto de gálio (GaN), com o intuito de melhor compreender os processos de crescimento do GaN. Os resultados foram realizados através de cálculos de primeiros príncípios, usando a teoria do funcionalo da densidade com a aproximação do gradiente generalizado para o funcional de troca e correlação. Os cálculos foram realizados através do programa computacional VASP que emprega uma base de ondas planas. Na caracterização da interface que utiliza a safira (Al2O3) como substrato para crescer o GaN, verificamos que as propriedades eletrônicas e estruturais são fortemente dependente do strain a qual o GaN é submetido.
MEMBROS DA BANCA:
Interno - 1360764 - CARLOS WILLIAM DE ARAUJO PASCHOAL
Interno - 1518604 - EDER NASCIMENTO SILVA
Externo à Instituição - PEDRO PAULO DE MELLO VENEZUELA - UFF